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Pós de metal industriais CAS do tetracloreto HfCl4 do háfnio 13499-05-3 para o depósito de vapor químico

Pós de metal industriais CAS do tetracloreto HfCl4 do háfnio 13499-05-3 para o depósito de vapor químico

Hafnium Tetrachloride HfCl4 Industrial Metal Powders CAS 13499-05-3 For Chemical Vapor Deposition

Detalhes do produto:

Lugar de origem: China
Marca: OEM
Certificação: CE/ISO9001

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Detalhes da embalagem: 1kg/saco de vácuo, 10 quilogramas/saco
Tempo de entrega: 5-7 dias de trabalho após ter recebido detalhes do pagamento
Termos de pagamento: T / T, Western Union, L / C
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Descrição de produto detalhada
Nome do produto: Tetracloreto do háfnio Fórmula molecular: HfCl4
CAS: 13499-05-3 Aparência: sólido cristalino branco
Densidade: 3,89 g/cm3 Pressão de vapor: 1 mmHg no °C 190

Tetracloreto HfCl4 do háfnio de CAS 13499-05-3 usado para o depósito de vapor químico

 

Breve descrição do tetracloreto HfCl4 do háfnio

 

O cloreto do háfnio (IV) é o composto inorgánico com a fórmula HfCl4.

 

Este sólido incolor é o precursor à maioria de compostos organometálicos do háfnio.

 

Tem uma variedade de aplicações altamente especializadas, principalmente na ciência de materiais e como um catalizador.

 

 

 

Aplicação do tetracloreto HfCl4 do háfnio

 

1. O tetracloreto do háfnio é o precursor aos catalizadores altamente ativos para a polimerização dos alkenes, especialmente propylence de Ziegler-Natta. 

 

Os catalizadores típicos são derivados do tetrabenzylhafnium. 

 

2. HfCl4 é um ácido de Lewis eficaz para várias aplicações na síntese orgânica.

 

3. Encontrou-se para render melhores resultados do que outros ácidos de Lewis quando usado com aldoximes arílicos e alifáticos, permitindo a formação específica do exo-isômero.

 

4. HfCl4 foi considerado como um precursor para o depósito de vapor químico e o depósito atmoic da camada do dióxido do háfnio e do silicato do háfnio, usados como dielétricos altos-k na fabricação de circuitos integrados high-density modernos

 

 

 

Separação de Zr e de Hf

 

A separação de HfCl4 e de ZrCl4 é difícil porque os compostos do Hf e do Zr têm propriedades químicas e físicas muito similares.

 

Seus raios atômicos são similares: o raio atômico é 156,4 pm para o háfnio, visto que aquele do Zr é 160 pm.

 

Estes dois metais submetem-se a reações similares e formam-se complexos similares da coordenação.

 

Um método é baseado na diferença no reducibility entre os dois tetrahalides.

 

Os tetrahalides enlatam em sejam separados seletivamente reduzindo o composto do zircônio a uns ou vários mais baixos alogenuros ou mesmo a zircônio.

 

O tetracloreto do háfnio permanece substancialmente inalterado durante a redução e pode ser recuperado prontamente dos subhalides do zircônio.

 

O tetracloreto do háfnio é temporário e pode consequentemente facilmente ser separado do trihalide involatile do zircônio.

 

 

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