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Densidade 6.1g/ml de CAS 25617-97-4 do único cristal de bolacha de silicone do nitreto do gálio de GaN

Densidade 6.1g/ml de CAS 25617-97-4 do único cristal de bolacha de silicone do nitreto do gálio de GaN

    • GaN Gallium Nitride Silicon Wafer Single Crystal CAS 25617-97-4 Density 6.1g/ml
    • GaN Gallium Nitride Silicon Wafer Single Crystal CAS 25617-97-4 Density 6.1g/ml
    • GaN Gallium Nitride Silicon Wafer Single Crystal CAS 25617-97-4 Density 6.1g/ml
  • GaN Gallium Nitride Silicon Wafer Single Crystal CAS 25617-97-4 Density 6.1g/ml

    Detalhes do produto:

    Lugar de origem: China
    Marca: OEM
    Certificação: ISO9001

    Condições de Pagamento e Envio:

    Quantidade de ordem mínima: Negociável
    Preço: Negotiable
    Detalhes da embalagem: saco 100 limpo ou único empacotamento da caixa
    Tempo de entrega: 5-7 dias de trabalho após receberam seus detalhes do pagamento os dias de trabalho que após recebera
    Termos de pagamento: T / T, Western Union, L / C
    contacto
    Descrição de produto detalhada
    CAS: 25617-97-4 N º EINECS: 247-129-0
    MF: GaN Aparência: Cristal
    Densidade: 6.1g/mL, 25/4℃ mw: 83,73
    Realçar:

    silicon wafer substrate

    ,

    silicon oxide wafer

    Bolacha de cristal CAS 25617-97-4 do nitreto do gálio de GaN única com densidade de 6.1g/mL

     

    Propriedades físicas típicas bolacha de cristal do nitreto do gálio de GaN da única

     

    2" moldes de GaN

     
    Artigo GaN-T-N GaN-T-S
    Dimensões Φ 2"
    Espessura 15 μm, 20 μm, 30 μm, μm 40 30 μm, μm 90
    Orientação ± 1° da C-linha central (0001)
    Tipo da condução N-tipo Semi-isolamento
    Resistividade (300K) < 0=""> > 106 Ω.cm
    Densidade de deslocação Menos do que 1x108 cm-2
    Estrutura da carcaça GaN grosso na safira (0001)
    Área de superfície útil > 90%
    Polonês Padrão: Opção de SSP: DSP
    Pacote Empacotado em um ambiente do quarto desinfetado da classe 100, em umas gavetas de 25pcs ou de únicos recipientes da bolacha, sob uma atmosfera do nitrogênio.
     
     
     

     

    Densidade 6.1g/ml de CAS 25617-97-4 do único cristal de bolacha de silicone do nitreto do gálio de GaN
     
     

    2" - carcaças estando de GaN

     

    Artigo GaN-FS-n GaN-FS-SI
    Dimensões ± 1mm de Φ50.8mm
    Densidade do defeito de Marco ALevel 2 cm2
    Nível de B > 2 cm2
    Espessura 350 μm do ± 25
    Orientação ± 0.5° da C-linha central (0001)
    Orientação lisa ± 0.5° (de 1-100), ± 16,0 1.0mm
    Orientação secundária lisa ± 3° (de 11-20), 8,0 ± 1.0mm
    TTV (variação total da espessura) <15>
    CURVA <20>
    Tipo da condução N-tipo Semi-isolamento
    Resistividade (300K) < 0=""> >106 Ω.cm
    Densidade de deslocação Menos do que 5x106 cm-2
    Área de superfície útil > 90%
    Polonês Superfície dianteira: Ra < 0="">
    Pacote Empacotado em um ambiente do quarto desinfetado da classe 100, em uns únicos recipientes da bolacha, sob uma atmosfera do nitrogênio.


     

     Densidade 6.1g/ml de CAS 25617-97-4 do único cristal de bolacha de silicone do nitreto do gálio de GaN
     

     Carcaças autônomas de GaN (tamanho personalizado)

     
    Artigo GaN-FS-10 GaN-FS-15
    Dimensões 10.0mm Χ10.5mm 14.0mmΧ 15.0mm
    Densidade do defeito de Marco ALevel 0 cm-2
    Nível de B 2 cm-2
    Espessura Grau 300 300 μm do ± 25
    Grau 350 350 μm do ± 25
    Grau 400 400 μm do ± 25
    Orientação ± 0.5° da C-linha central (0001)
    TTV (variação total da espessura) <15>
    CURVA <20>
    Tipo da condução N-tipo Semi-isolamento
    Resistividade (300K) < 0=""> >106 Ω.cm
    Densidade de deslocação Menos do que 5x106 cm-2
    Área de superfície útil > 90%
    Polonês Superfície dianteira: Ra < 0="">
    Pacote Empacotado em um ambiente do quarto desinfetado da classe 100, em uns únicos recipientes da bolacha, sob uma atmosfera do nitrogênio.

     

    Densidade 6.1g/ml de CAS 25617-97-4 do único cristal de bolacha de silicone do nitreto do gálio de GaN

     
    GaN-FS-N-1.5
     
    Artigo GaN-FS-N-1.5
    Dimensões ± 0.5mm de 25.4mm  38.1mm± 0.5mm ± 0.5mm de 40.0mm ± 0.5mm de 45.0mm
    Densidade do defeito de Marco ALevel 2 cm-2
    Nível de B > 2 cm-2
    Espessura 350 μm do ± 25
    Orientação ± 0.5° da C-linha central (0001)
    Orientação lisa ± 1mm do ± 0.5° 8 (de 1-100) ± 1mm do ± 0.5° 12 (de 1-100) ± 1mm do ± 0.5° 14 (de 1-100) ± 1mm do ± 0.5° 14 (de 1-100)
    Orientação secundária lisa ± 1mm do ± 3° 4 (de 11-20) ± 1mm do ± 3° 6 (de 11-20) ± 1mm do ± 3° 7 (de 11-20) ± 1mm do ± 3° 7 (de 11-20)
    TTV (variação total da espessura) <15>
    CURVA <20>
    Tipo da condução N-tipo Semi-isolamento
    Resistividade (300K) < 0=""> >106 Ω.cm
    Densidade de deslocação Menos do que 5x106 cm-2
    Área de superfície útil > 90%
    Polonês Superfície dianteira: Ra < 0="">
    Pacote Empacotado em um ambiente do quarto desinfetado da classe 100, em uns únicos recipientes da bolacha, sob uma atmosfera do nitrogênio.

     
    Densidade 6.1g/ml de CAS 25617-97-4 do único cristal de bolacha de silicone do nitreto do gálio de GaN
     
     

    Curvas de balanço do ‐ XRD da hora
     

     Densidade 6.1g/ml de CAS 25617-97-4 do único cristal de bolacha de silicone do nitreto do gálio de GaN
     

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